半導体基板を開発・製造する米国子会社HexaTech、直径100mmの単結晶窒化アルミニウム基板を製品化
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■大口径化のメリット
基板の大口径化により、デバイスのコスト低減や量産拡大が可能になります。これにより、オプトエレクトロニクスや高出力RF（高周波）デバイスの生産性向上への貢献が期待できます。
■窒化アルミニウム（AlN）基板について
単結晶AlNは、ワイドバンドギャップ半導体材料※1の一つで、主に以下の用途への展開が想定されています。
・紫外線除菌用途向け深紫外LED
・生物学的脅威の検知などに用いる深紫外レーザー
・高効率な電力変換に用いる高電圧スイッチングデバイス
・衛星通信向けRF（高周波）部品
■出展予定について
今回製品化した直径100mmのAlN基板を、2026年11月8日から13日まで熊本県で開催される「13th International Workshop on Nitride Semiconductors 2026（IWN 2026）」にて展示します。
当社は今後もグループ各社の技術を生かし、光の可能性を追求するとともに、次世代のオプトエレクトロニクスや半導体デバイスの発展に貢献していきます。
【HexaTech, Inc.について】
HexaTechは、米国ノースカロライナ州に拠点を置く半導体基板メーカーです。2001年の設立以来、単結晶AlNの材料・製造技術の開発を進め、深紫外LED、深紫外レーザー、高電圧スイッチングデバイス、RF部品などに使用されるAlN基板を提供しています。 2020年にスタンレー電気の100％子会社となり、基板の供給を通じて、深紫外発光のLEDやレーザー製品の開発・量産の加速に貢献しています。
HexaTech ホームページ
基板の大口径化により、デバイスのコスト低減や量産拡大が可能になります。これにより、オプトエレクトロニクスや高出力RF（高周波）デバイスの生産性向上への貢献が期待できます。
■窒化アルミニウム（AlN）基板について
単結晶AlNは、ワイドバンドギャップ半導体材料※1の一つで、主に以下の用途への展開が想定されています。
・紫外線除菌用途向け深紫外LED
・生物学的脅威の検知などに用いる深紫外レーザー
・高効率な電力変換に用いる高電圧スイッチングデバイス
・衛星通信向けRF（高周波）部品
※1：シリコン（Si）に比べ、高電圧や高温などの環境でも性能を発揮しやすい半導体材料。次世代のパワー半導体や高周波デバイス、発光デバイスなどへの活用が期待されています。
■出展予定について
今回製品化した直径100mmのAlN基板を、2026年11月8日から13日まで熊本県で開催される「13th International Workshop on Nitride Semiconductors 2026（IWN 2026）」にて展示します。
当社は今後もグループ各社の技術を生かし、光の可能性を追求するとともに、次世代のオプトエレクトロニクスや半導体デバイスの発展に貢献していきます。
【HexaTech, Inc.について】
HexaTechは、米国ノースカロライナ州に拠点を置く半導体基板メーカーです。2001年の設立以来、単結晶AlNの材料・製造技術の開発を進め、深紫外LED、深紫外レーザー、高電圧スイッチングデバイス、RF部品などに使用されるAlN基板を提供しています。 2020年にスタンレー電気の100％子会社となり、基板の供給を通じて、深紫外発光のLEDやレーザー製品の開発・量産の加速に貢献しています。
HexaTech ホームページ